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| 规格书 |
 2SD1207 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 400mV @ 50mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 100mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 150MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 供应商器件封装 | 3-MP |
| 包装材料 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 50mA, 1A |
| 标准包装 | 500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | 3-MP |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 100mA, 2V |
| 晶体管极性 | NPN |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 400 mA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.15 V |
| 系列 | 2SD1207 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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